基本信息:
- 专利标题： 使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路
- 专利标题（英）：Nonvolatile memory circuit using spin MOS transistors
- 申请号：CN201010509925.0 申请日：2010-10-14
- 公开(公告)号：CN102148055B 公开(公告)日：2014-04-23
- 发明人： 杉山英行 , 棚本哲史 , 丸龟孝生 , 石川瑞惠 , 井口智明 , 齐藤好昭
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 陈萍
- 优先权： 025821/2010 2010.02.08 JP
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16
摘要：
本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。
公开/授权文献:
- CN102148055A 使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路 公开/授权日：2011-08-10
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/16 | ..应用磁自旋效应的存储元件的 |