基本信息:
- 专利标题： 包含耐溅射材料的极端紫外线辐射反射元件
- 申请号：CN200980126444.7 申请日：2009-07-01
- 公开(公告)号：CN102138185B 公开(公告)日：2015-09-09
- 发明人： C·梅茨马歇尔
- 申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 申请人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 专利权人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 当前专利权人： 皇家飞利浦有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 龚海军; 刘鹏
- 优先权： 08104648.4 2008.07.07 EP
- 国际申请： PCT/IB2009/052855 2009.07.01
- 国际公布： WO2010/004482 EN 2010.01.14
- 进入国家日期： 2011-01-07
- 主分类号： G21K1/06
- IPC分类号： G21K1/06
摘要：
本发明涉及改进的EUV反射元件，包括：a)第一层，基本上由高反射性材料制成,其中第一层基本上由选自以下组中的材料制成：钛、钒、铬、钇、锆、铌、锝、钌、铑、钯、银、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、铊、铅、类金刚石碳（DLC）或其混合物和/或合金；b)第二层，厚度≤5nm，基本上由耐溅射性≤10nm/108次射击的材料制成，其中第二层基本上由选自以下组中的材料制成，该组包括：高共价金属氧化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或其混合物,或者基本上由选自以下组中的材料制成，所述组包括：钨、石墨、石墨烯、碳复合材料和/或碳纤维材料和/或其混合物,或者基本上由合金制成，其中所述合金的至少一种成分从以下组中选出，所述组包括钼、钨、钛和铼,并且由此第二层被设置在入射的和/或反射的EUV光的路径中。
公开/授权文献:
- CN102138185A 包含耐溅射材料的极端紫外线辐射反射元件 公开/授权日：2011-07-27
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G21 | 核物理；核工程 |
| ----G21K | 未列入其他类目的粒子或电磁辐射的处理技术；照射装置；γ射线或X射线显微镜 |
| ------G21K1/00 | 辐射或粒子的处理装置，如聚焦、慢化 |
| --------G21K1/06 | .应用衍射、折射或反射，如单色仪 |