基本信息:
- 专利标题： 用于制造微机电系统装置的方法
- 专利标题（英）：Method for fabricating MEMS device
- 申请号：CN201010172538.2 申请日：2010-05-07
- 公开(公告)号：CN102134054B 公开(公告)日：2013-06-12
- 发明人： 谢聪敏 , 李建兴 , 刘志成
- 申请人： 鑫创科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹县
- 专利权人： 鑫创科技股份有限公司
- 当前专利权人： 鑫创科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹县
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 彭久云
- 优先权： 12/691,754 2010.01.22 US
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00 ; H04R31/00
摘要：
一种用于制造MEMS装置的方法，其包含：提供单晶体衬底，其具有第一表面和第二表面且具有MEMS区和IC区；在第一表面上在MEMS区中形成SCS质量块；在衬底的第一表面上形成结构介电层，其中结构介电层的介电部件填充于围绕MEMS区中的SCS质量块的空间中，IC区具有电路结构，所述电路结构具有形成于结构介电层中的互连结构；通过蚀刻工艺在第二表面上将单晶体衬底图案化以暴露填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部件的一部分；至少对填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部分执行各向同性蚀刻工艺。暴露SCS质量块以释放MEMS结构。
公开/授权文献:
- CN102134054A 用于制造微机电系统装置的方法 公开/授权日：2011-07-27
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B81 | 微观结构技术 |
| ----B81C | 专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备 |
| ------B81C1/00 | 在基片内或其上制造或处理的装置或系统 |