基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及形成CMOS器件应力膜的方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for forming stress film of CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) device
- 申请号：CN201010022575.5 申请日：2010-01-08
- 公开(公告)号：CN102122638B 公开(公告)日：2014-06-04
- 发明人： 叶好华 , 王媛 , 潘梓诚
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 李丽
- 主分类号： H01L21/8238
- IPC分类号： H01L21/8238 ; H01L27/092
摘要：
本发明提供了一种形成CMOS器件应力膜的方法及半导体器件，该方法包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区，其中有源区上形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管，NMOS晶体管包含有NMOS掺杂区，PMOS晶体管包含有位于N阱内的PMOS掺杂区，在NMOS掺杂区和PMOS掺杂区之间具有隔离区；在半导体衬底上形成应力膜，所述应力膜覆盖NMOS晶体管和PMOS晶体管；去除PMOS晶体管及隔离区上的应力膜。本发明可以提高同批制造的MOS器件的稳定性和一致性。
公开/授权文献:
- CN102122638A 半导体器件及形成CMOS器件应力膜的方法 公开/授权日：2011-07-13
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8238 | ........互补场效应晶体管，例如CMOS |