基本信息:
- 专利标题： 多晶硅层的蚀刻方法
- 专利标题（英）：Method for etching polycrystalline silicon layer
- 申请号：CN200910188616.5 申请日：2009-12-04
- 公开(公告)号：CN102087963B 公开(公告)日：2013-08-14
- 发明人： 桂林春 , 赵志勇 , 林奕琼
- 申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
- 专利权人： 无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
- 代理机构： 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 何平
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28
摘要：
本发明涉及一种多晶硅层的蚀刻方法，包括：蚀刻第一层多晶硅；淀积第一侧墙；蚀刻第一侧墙；生长低压栅氧化层；淀积第二层多晶硅；淀积硅化钨层；蚀刻硅化钨层和第二层多晶硅；淀积第二侧墙；蚀刻第二侧墙。本发明采用单独对第一层多晶硅淀积侧墙的工艺，解决了蚀刻第二层和之后层次的多晶硅后，在第一层多晶硅侧壁产生残留缺陷的问题，同时很好的保证了第一层多晶硅的栅极形貌。
公开/授权文献:
- CN102087963A 多晶硅层的蚀刻方法 公开/授权日：2011-06-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |