基本信息:
- 专利标题： 光电阴极
- 专利标题（英）：Photocathode
- 申请号：CN200880129779.X 申请日：2008-11-07
- 公开(公告)号：CN102067264A 公开(公告)日：2011-05-18
- 发明人： 松井利和 , 浜名康全 , 中村公嗣 , 石上喜浩 , 小栗大二郎
- 申请人： 浜松光子学株式会社
- 申请人地址： 日本静冈县
- 专利权人： 浜松光子学株式会社
- 当前专利权人： 浜松光子学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本静冈县
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳
- 优先权： 2008-155777 2008.06.13 JP
- 国际申请： PCT/JP2008/070329 2008.11.07
- 国际公布： WO2009/150760 JA 2009.12.17
- 进入国家日期： 2010-12-13
- 主分类号： H01J1/34
- IPC分类号： H01J1/34 ; H01J40/06
摘要：
本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
摘要（英）：
Disclosed is a photocathode having improved properties. Specifically disclosed is a photocathode (10) comprising: a base material (12); and an intermediate layer (14), an under layer (16) and a photoelectron emission layer (18) all formed on the base material (12) in this order. The photoelectron emission layer (18) contains Sb and Bi, and has a function of emitting a photoelectron to the outside upon being launched with light. The photoelectron emission layer (18) contains Bi in an amount of 32 mol% or less relative to the total amount of Sb and Bi. It becomes possible to dramatically improve the linearity at a lower temperature.
公开/授权文献:
- CN102067264B 光电阴极 公开/授权日：2014-07-02