基本信息:
- 专利标题： 采用自组装材料的图形形成
- 专利标题（英）：Pattern formation employing self-assembled material
- 申请号：CN200980104087.4 申请日：2009-02-03
- 公开(公告)号：CN101939253B 公开(公告)日：2014-07-23
- 发明人： C·T·布莱克 , T·J·达尔顿 , B·B·多里斯 , C·拉登斯
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯美国第二有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 于静; 杨晓光
- 优先权： 12/026,123 2008.02.05 US
- 国际申请： PCT/US2009/032936 2009.02.03
- 国际公布： WO2009/100053 EN 2009.08.13
- 进入国家日期： 2010-08-04
- 主分类号： B82B3/00
- IPC分类号： B82B3/00
摘要：
在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。
公开/授权文献:
- CN101939253A 采用自组装材料的图形形成 公开/授权日：2011-01-05
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B82 | 超微技术 |
| ----B82B | 超微结构；超微结构的制造或处理 |
| ------B82B3/00 | 超微结构的制造或处理 |