基本信息:
- 专利标题： 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法
- 专利标题（英）：Solar cell and method for manufacturing the same
- 申请号：CN200980103725.0 申请日：2009-02-23
- 公开(公告)号：CN101933156A 公开(公告)日：2010-12-29
- 发明人： 尹周焕 , 金钟焕 , 金范城 , 高志勋
- 申请人： LG电子株式会社
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： LG电子株式会社
- 当前专利权人： LG电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人： 黄纶伟; 杨娟
- 优先权： 10-2008-0016900 2008.02.25 KR
- 国际申请： PCT/KR2009/000853 2009.02.23
- 国际公布： WO2009/107955 EN 2009.09.03
- 进入国家日期： 2010-07-30
- 主分类号： H01L31/04
- IPC分类号： H01L31/04
摘要：
本发明涉及太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。更具体地，本发明提供一种通过去除由用于隔离硅衬底的激光边缘隔离处理所形成的受损层并在其表面上覆盖保护层，能够将缺陷和电子-空穴复合减小到最少的硅太阳能电池和制造该硅太阳能电池的方法。
摘要（英）：
The present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention provides a silicon solar cell capable of minimizing defects and recombination of electrons-holes by removing a damaged layer formed by a laser edge isolation process to isolate a silicon substrate and covering a protective layer on a surface thereof and a method for manufacturing the same.