基本信息:
- 专利标题： 相异材料上的纳米线生长
- 专利标题（英）：Nanowire growth on dissimilar material
- 申请号：CN200880122997.0 申请日：2008-10-27
- 公开(公告)号：CN101910050A 公开(公告)日：2010-12-08
- 发明人： L·萨穆尔森 , J·奥尔森 , T·马滕森 , P·斯文森
- 申请人： 昆南诺股份有限公司
- 申请人地址： 瑞典隆德
- 专利权人： 昆南诺股份有限公司
- 当前专利权人： 昆南诺股份有限公司
- 当前专利权人地址： 瑞典隆德
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 李娜; 蒋骏
- 国际申请： PCT/SE2008/051213 2008.10.27
- 国际公布： WO2009/054804 EN 2009.04.30
- 进入国家日期： 2010-06-25
- 主分类号： B82B3/00
- IPC分类号： B82B3/00 ; H01L21/18 ; H01L21/20 ; H01L21/205 ; H01L29/06 ; H01L29/12
摘要：
本发明涉及在Si衬底(3)上生长III-V半导体纳米线(2)。受控垂直纳米线生长是通过在生长纳米线之前进行的向Si衬底的(111)表面提供III族或V族原子以提供III族或V族5表面终止层(4)的步骤而实现的。还提出了一种纳米结构化器件，其包括依照预定器件布局以有序图案生长在Si衬底(3)的(111)表面上并从Si衬底(3)的(111)表面突出的多个对齐的III-V半导体纳米线(2)。
摘要（英）：
The present invention relates to growth of III-V semiconductor nanowires (2) on a Si substrate(3). Controlled vertical nanowire growth is achieved by a step,to be taken prior of the growing of the nanowire, of providing group III or group V atoms to a (111) surface of the Si substrate to provide a groupIII or group V 5 surface termination (4).A nanostructured device comprising a plurality of aligned III-V semiconductor nanowires (2) grown on,and protruding from, a (111) surface of a Si substrate(3) in an ordered pattern in compliance with a predetermined device layoutis also presented.
公开/授权文献:
- CN101910050B 相异材料上的纳米线生长 公开/授权日：2013-09-25
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B82 | 超微技术 |
| ----B82B | 超微结构；超微结构的制造或处理 |
| ------B82B3/00 | 超微结构的制造或处理 |