基本信息:
- 专利标题： 纳米点状材料的形成方法
- 专利标题（英）：Forming method of nano-dotted materials
- 申请号：CN200910147009.4 申请日：2009-06-04
- 公开(公告)号：CN101908388B 公开(公告)日：2013-01-23
- 发明人： 卢俊安 , 林鸿钦 , 邱国展 , 黄思博
- 申请人： 财团法人工业技术研究院
- 申请人地址： 中国台湾新竹县
- 专利权人： 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人： 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹县
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01B1/00
- IPC分类号： H01B1/00 ; B22F9/30
摘要：
本发明涉及一种纳米点状材料的形成方法，包括提供亚微米材料及金属有机化合物，将亚微米材料与金属有机化合物混合于溶剂中，使金属有机化合物热裂解还原，形成多个纳米点状材料于亚微米材料上，其中纳米点状材料与亚微米材料为异质材料，以及将这些纳米点状材料融熔，使多个邻近的亚微米材料融接在一起，形成连续界面。
公开/授权文献:
- CN101908388A 纳米点状材料的形成方法 公开/授权日：2010-12-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B1/00 | 按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择 |