基本信息:
- 专利标题： 非易失性存储装置及其制造方法
- 专利标题（英）：Nonvolatile storage device and method for manufacturing the same
- 申请号：CN200880118388.8 申请日：2008-11-06
- 公开(公告)号：CN101878529B 公开(公告)日：2012-07-04
- 发明人： 三河巧 , 富永健司 , 岛川一彦 , 东亮太郎
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳
- 优先权： 2007-308469 2007.11.29 JP
- 国际申请： PCT/JP2008/003214 2008.11.06
- 国际公布： WO2009/069252 JA 2009.06.04
- 进入国家日期： 2010-05-28
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L45/00 ; H01L49/00 ; H01L49/02
Disclosed is a nonvolatile storage device comprising a substrate (1); a first wiring (3); a first variable resistance element (5) and a lower electrode (6) of a first diode element, which are embedded in a first through hole (4); a second wiring (11) orthogonal to the first wiring (3) and composed of a plurality of layers, namely a semiconductor layer (7) of the first diode element, a conductive layer (8) and a semiconductor layer (10) of a second diode element, which are laminated in this order; a second variable resistance element (16) and an upper electrode (14) of the second diode element, which are embedded in a second through hole (13); and a third wiring (17). This nonvolatile storage device is characterized in that the conductive layer (8) of the second wiring (11) also serves as an upper electrode of the first diode element (9) and a lower electrode of the second diode element (15).
公开/授权文献:
- CN101878529A 非易失性存储装置及其制造方法 公开/授权日：2010-11-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/10 | ...在重复结构中包括有多个独立组件的 |