基本信息:
- 专利标题： 一种化合物半导体薄膜的制备方法
- 专利标题（英）：Preparation method of compound semiconductor film
- 申请号：CN200910106258.9 申请日：2009-03-31
- 公开(公告)号：CN101851742B 公开(公告)日：2012-07-04
- 发明人： 钟北军 , 曹文玉 , 周勇 , 姜占锋
- 申请人： 比亚迪股份有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号
- 专利权人： 比亚迪股份有限公司
- 当前专利权人： 比亚迪股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号
- 主分类号： C23C14/24
- IPC分类号： C23C14/24 ; H01L31/18 ; H01L21/203
摘要：
本发明属于太阳能电池技术领域。本发明提供了一种化合物半导体薄膜的制备方法，其包括：在真空条件下，加热蒸发源中的源材料，使其蒸镀到基片上；所述基片绕其几何中心，在所述基片所在的平面内旋转，所述基片相对水平面倾斜。本发明所提供制备方法制出的化合物半导体薄膜厚度均匀性好，且薄膜面积大；并且工艺简单高效、容易实现，同时本发明能够直接适用于工业生产，具有巨大的商业价值。
摘要（英）：
The invention belongs to the technical field of solar batteries, and providing a preparation method of a compound semiconductor film. The preparation method comprises the steps that: under vacuum condition, a source material in an evaporating source is heated so as to lead the source material to be evaporated on a substrate; the substrate rotates in the plane thereof around the geometric center thereof; and the substrate is inclined relative to the horizontal plane. The compound semiconductor film prepared by the preparation method has good thickness uniformity, large film area, simple and high-efficiency technique and easy implementation, simultaneously, can be applicable to industrial production and has larger commercial value.
公开/授权文献:
- CN101851742A 一种化合物半导体薄膜的制备方法 公开/授权日：2010-10-06