基本信息:
- 专利标题： 选择性蚀刻和二氟化氙的形成
- 专利标题（英）：Selective etching and formation of xenon difluoride
- 申请号：CN201010104484.6 申请日：2010-01-27
- 公开(公告)号：CN101847570A 公开(公告)日：2010-09-29
- 发明人： 吴定军 , E·J·小卡瓦基 , A·马利卡朱南 , A·D·约翰逊
- 申请人： 气体产品与化学公司
- 申请人地址： 美国宾夕法尼亚州
- 专利权人： 气体产品与化学公司
- 当前专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国宾夕法尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 段晓玲; 韦欣华
- 优先权： 12/360588 2009.01.27 US
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; B08B7/00 ; C23F1/12
This invention relates to a process for selective removal of materials, such as: silicon, molybdenum, tungsten, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, tantalum, niobium, boron, phosphorus, germanium, arsenic, and mixtures thereof, from silicon dioxide, silicon nitride, nickel, aluminum, TiNi alloy, photoresist, phosphosilicate glass, boron phosphosilicate glass, polyimides, gold, copper, platinum, chromium, aluminum oxide, silicon carbide and mixtures thereof. The process is related to the important applications in the cleaning or etching process for semiconductor deposition chambers and semiconductor tools, devices in a micro electro mechanical system (MEMS), and ion implantation systems. Methods of forming XeF2 by reacting Xe with a fluorine containing chemical are also provided, where the fluorine containing chemical is selected from the group consisting of F2, NF3, C2F6, CF4, C3F8, SF6, a plasma containing F atoms generated from an upstream plasma generator and mixtures thereof.
公开/授权文献:
- CN101847570B 选择性蚀刻和二氟化氙的形成 公开/授权日：2012-11-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |