基本信息:
- 专利标题： 薄膜晶体管、制造方法及有机发光二极管显示装置
- 专利标题（英）：Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the same
- 申请号：CN201010122246.8 申请日：2010-03-02
- 公开(公告)号：CN101826555B 公开(公告)日：2013-03-06
- 发明人： 李东炫 , 李基龙 , 徐晋旭 , 梁泰勋 , 朴炳建 , 李吉远 , 马克西姆·莉萨契克 , 郑在琓
- 申请人： 三星显示有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道龙仁市
- 专利权人： 三星显示有限公司
- 当前专利权人： 三星显示有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道龙仁市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理人： 韩明星; 薛义丹
- 优先权： 10-2009-0018199 2009.03.03 KR
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L27/32
摘要：
本发明提供了一种薄膜晶体管、其制造方法及具有其的有机发光二极管显示装置，所述薄膜晶体管包括：基底；硅层，形成在基底上；扩散层，形成在硅层上；利用金属催化剂结晶化的半导体层，形成在扩散层上；栅电极，设置在扩散层上，面对半导体层的沟道区；栅极绝缘层，设置在栅电极和半导体层之间；源电极和漏电极，分别电连接到半导体层的源极区和漏极区。
公开/授权文献:
- CN101826555A 薄膜晶体管、制造方法及有机发光二极管显示装置 公开/授权日：2010-09-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |