基本信息:
- 专利标题： 由原子层沉积制造薄膜晶体管的方法
- 专利标题（英）：Process for making thin film transistors by atomic layer deposition
- 申请号：CN200880108960.2 申请日：2008-09-18
- 公开(公告)号：CN101809190A 公开(公告)日：2010-08-18
- 发明人： S·F·奈尔逊 , D·H·莱维 , L·M·欧文 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼 , C·R·埃林格尔
- 申请人： 伊斯曼柯达公司
- 申请人地址： 美国纽约州
- 专利权人： 伊斯曼柯达公司
- 当前专利权人： 伊斯曼柯达公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 范赤; 韦欣华
- 优先权： 11/861491 2007.09.26 US
- 国际申请： PCT/US2008/010853 2008.09.18
- 国际公布： WO2009/042059 EN 2009.04.02
- 进入国家日期： 2010-03-26
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; H01L21/336
摘要：
本发明涉及一种制造例如薄膜晶体管、环境阻隔层、电容、绝缘器和总线的薄膜电子器件和设备的方法，其中大部分或所有层由大气压原子层沉积方法制造。
摘要（英）：
The present invention relates to a process of making thin film electronic components and devices, such as thin film transistors, environmental barrier layers, capacitors, insulators and bus lines, where most or all of the layers are made by an atmospheric atomic layer deposition process.
公开/授权文献:
- CN101809190B 由原子层沉积制造薄膜晶体管的方法 公开/授权日：2013-10-16