基本信息:
- 专利标题： 等离子体处理方法和等离子体处理装置
- 专利标题（英）：Plasma processing method and plasma processing apparatus
- 申请号：CN200880024210.7 申请日：2008-07-10
- 公开(公告)号：CN101802986B 公开(公告)日：2012-09-26
- 发明人： 高桥哲朗 , 藤野丰 , 户岛宏至 , 久保敦史 , 康松润 , P·芬泽克 , 濑川澄江
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本国东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国东京都
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳
- 优先权： 182030/2007 2007.07.11 JP
- 国际申请： PCT/JP2008/062477 2008.07.10
- 国际公布： WO2009/008474 JA 2009.01.15
- 进入国家日期： 2010-01-11
- 主分类号： H01L21/318
- IPC分类号： H01L21/318 ; H01L21/31
摘要：
本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
摘要（英）：
The invention provides a plasma processing method and a plasma processing apparatus. A wafer is arranged in a chamber, a plasma generating space is formed in the chamber, and plasma processing is performed to the front surface of the wafer in a state where at least the front surface of the wafer is brought into contact with the plasma generating space. The plasma processing is performed by havingthe plasma generating space in contact with at least the outer circumference portion of the wafer rear surface.
公开/授权文献:
- CN101802986A 等离子体处理方法和等离子体处理装置 公开/授权日：2010-08-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/318 | .......由氮化物组成的无机层 |