基本信息:
- 专利标题： 多层互连的波纹界面
- 专利标题（英）：Corrugated interfaces for multilayered interconnects
- 申请号：CN200880102570.4 申请日：2008-08-07
- 公开(公告)号：CN101779280A 公开(公告)日：2010-07-14
- 发明人： 劳伦斯·A·克莱文格 , 蒂莫西·J·达尔顿 , 埃尔伯特·E·黄 , 萨姆帕斯·普鲁肖萨曼 , 卡尔·J·拉登斯
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯美国第二有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 邱军
- 优先权： 11/836,253 2007.08.09 US
- 国际申请： PCT/US2008/072420 2008.08.07
- 国际公布： WO2009/021091 EN 2009.02.12
- 进入国家日期： 2010-02-09
- 主分类号： H01L21/4763
- IPC分类号： H01L21/4763 ; H01L23/48
摘要：
电介质复合结构包括在互连堆叠中拥有纳米级波纹界面的界面，该电介质复合结构提供粘合强度和界面断裂韧性的提高。还描述了进而包括波纹附着力促进剂层(114)从而进一步增加固有界面附着的复合结构。还描述了使用自组装聚合物系统和图案转移工艺形成允许这些结构的纳米级波纹界面的方法。
摘要（英）：
Dielectric composite structures comprising interfaces possessing nanometer scale corrugated interfaces in interconnect stack provide enhances adhesion strength and interfacial fracture toughness. Composite structures further comprising corrugated adhesion promoter layers (114) to further increase intrinsic interfacial adhesion are also described. Methods to form the nanometer scale corrugated interfaces for enabling these structures using self assembling polymer systems and pattern transfer process are also described.
公开/授权文献:
- CN101779280B 多层互连的波纹界面 公开/授权日：2013-04-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/42 | ....用辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/461 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/4763 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理 |