基本信息:
- 专利标题： 被隔离的集成电路器件
- 专利标题（英）：Isolated integrated circuit devices
- 申请号：CN200880018221.4 申请日：2008-02-27
- 公开(公告)号：CN101730934A 公开(公告)日：2010-06-09
- 发明人： 理查德·K·威廉斯 , 唐纳德·R·迪斯尼 , 陈伟钿
- 申请人： 先进模拟科技公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 先进模拟科技公司
- 当前专利权人： 先进模拟科技公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 邱军
- 优先权： 60/920,488 2007.03.28 US; 12/002,358 2007.12.17 US
- 国际申请： PCT/US2008/002558 2008.02.27
- 国际公布： WO2008/118271 EN 2008.10.02
- 进入国家日期： 2009-11-30
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76
摘要：
一种半导体器件的隔离结构，包括底板隔离区、所述底板隔离区上方的电介质填充的沟槽和从所述沟槽的底部向下延伸至所述底板隔离区的侧壁隔离区。该结构提供半导体衬底中相对深的被隔离的袋，而且限制在所述衬底中必须被蚀刻的沟槽的深度。各种器件，包括金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、二极管、和结型场效应晶体管形成于所述被隔离的袋中。
摘要（英）：
An isolation structure for a semiconductor device comprises a floor isolation region, a dielectric filled trench above the floor isolation region and a sidewall isolation region extending downward from the bottom of the trench to the floor isolation region. This structure provides a relatively deep isolated pocket in a semiconductor substrate while limiting the depth of the trench that must be etched in the substrate. A variety of devices, including MOSFETs, bipolar transistors, diodes, and JFETs, are formed in the isolated pocket.
公开/授权文献:
- CN101730934B 被隔离的集成电路器件 公开/授权日：2012-01-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |