基本信息:
- 专利标题： 含有吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S,S-二氧化物基团的硅烷及其在OLED中的用途
- 专利标题（英）：Silanes containing phenothiazine-S-oxide or phenothiazine-S,S-dioxide groups and the use thereof in OLEDs
- 申请号：CN200880022144.X 申请日：2008-04-21
- 公开(公告)号：CN101687893A 公开(公告)日：2010-03-31
- 发明人： N·兰格尔 , K·卡勒 , C·伦纳茨 , C·席尔德克内希特 , S·诺德 , O·莫尔特 , E·福克斯 , J·鲁道夫 , G·瓦根布拉斯特
- 申请人： 巴斯夫欧洲公司
- 申请人地址： 德国路德维希港
- 专利权人： 巴斯夫欧洲公司
- 当前专利权人： UDC爱尔兰有限责任公司
- 当前专利权人地址： 德国路德维希港
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 刘金辉; 林柏楠
- 优先权： 07107055.1 2007.04.26 EP
- 国际申请： PCT/EP2008/054801 2008.04.21
- 国际公布： WO2008/132085 DE 2008.11.06
- 进入国家日期： 2009-12-25
- 主分类号： C07F7/08
- IPC分类号： C07F7/08 ; H05B33/14
摘要：
本发明涉及含有吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物基团的硅烷，含有所述硅烷的有机发光二极管，以及含有至少一种所述硅烷和至少一种三线态发射体的发光层。本发明还涉及生产本发明硅烷的方法及所述硅烷在有机发光二极管中优选作为基质材料和/或三线态发射体的阻断剂材料的用途。
摘要（英）：
The invention relates to silanes containing phenothiazine-S-oxide or phenothiazine-S,S-dioxide groups, organic light-emitting diodes containing said silanes, and a light-emitting layer containing at least one of said silanes and at least one triplet emitter. The invention also relates to a method for producing the silanes according to the invention, and to the use of said silanes in organic light-emitting diodes, preferably as matrix materials and/or blocker materials for triplet emitters.
公开/授权文献:
- CN101687893B 含有吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S,S-二氧化物基团的硅烷及其在OLED中的用途 公开/授权日：2014-01-22
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C07 | 有机化学 |
| ----C07F | 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物 |
| ------C07F7/00 | 含周期表第Ⅳ族元素的化合物 |
| --------C07F7/02 | .硅化合物 |
| ----------C07F7/08 | ..具有1个或更多的C-Si键的化合物 |