基本信息:
- 专利标题： 包含二极管存储器单元的集成电路
- 专利标题（英）：Integrated circuit including diode memory cells
- 申请号：CN200910005494.1 申请日：2009-01-22
- 公开(公告)号：CN101685825B 公开(公告)日：2013-04-24
- 发明人： 汤玛斯D.汉普 , 林仲汉 , 龙翔澜 , 毕平拉詹德南 , 杨明
- 申请人： 奇梦达股份公司 , 国际商用机器公司 , 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 奇梦达股份公司,国际商用机器公司,旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人： 奇梦达股份公司,国际商用机器公司,旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 余刚
- 优先权： 12/017,581 2008.01.22 US
- 主分类号： H01L27/24
- IPC分类号： H01L27/24 ; H01L21/82 ; G11C16/02 ; G11C11/56 ; G06F12/00
摘要：
集成电路包含第一金属线和耦合到所述第一金属线的第一二极管。所述集成电路包含耦合到所述第一二极管的第一电阻率改变材料，以及耦合到所述第一电阻率改变材料的第二金属线。
公开/授权文献:
- CN101685825A 包含二极管存储器单元的集成电路 公开/授权日：2010-03-31
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/24 | .包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大，或切换的固态组件的 |