基本信息:
- 专利标题： 原子层沉积技术
- 专利标题（英）：Technique for atomic layer deposition
- 申请号：CN200780052552.5 申请日：2007-03-06
- 公开(公告)号：CN101680087A 公开(公告)日：2010-03-24
- 发明人： 维克拉姆·辛 , 哈勒德·M·波辛 , 艾德蒙德·J·温德 , 杰弗里·A·后普沃德 , 安东尼·雷诺
- 申请人： 瓦里安半导体设备公司 , 东北大学
- 申请人地址： 美国麻萨诸塞州
- 专利权人： 瓦里安半导体设备公司,东北大学
- 当前专利权人： 瓦里安半导体设备公司,东北大学
- 当前专利权人地址： 美国麻萨诸塞州
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理人： 臧建明
- 国际申请： PCT/US2007/005596 2007.03.06
- 国际公布： WO2008/108754 EN 2008.09.12
- 进入国家日期： 2009-10-12
- 主分类号： C23C16/24
- IPC分类号： C23C16/24 ; C23C16/452 ; C23C16/455
A technique for atomic layer deposition is disclosed. In one particular exemplary embodiment,, the technique may be realized by an apparatus for atomic layer. deposition. The apparatus may comprise. aprocess chamber having a substrate platform to hold at least one substrate. The apparatus may also comprise a supply of a precursor substance, wherein the precursor substance comprises atoms of at least one first. species and atoms of at least one second species, and wherein the supply provides the precursor substance to saturate a surface of the at least one substrate. The apparatus may furthercomprise a plasma source of metastable atoms of at least one third species, wherein the metabstable atoms are capable of desbrbing the atoms of the at least one second species from the saturated surface of the at least one substrate to form one or more atomic layers of the at least one first species.