基本信息:
- 专利标题： 硬掩模开口以及利用硬掩模开口的蚀刻形貌控制
- 专利标题（英）：Hardmask open and etch profile control with hardmask open
- 申请号：CN200880014689.6 申请日：2008-05-02
- 公开(公告)号：CN101675505A 公开(公告)日：2010-03-17
- 发明人： 李钟必 , 川口小泽 , 卡梅利娅·鲁苏 , 黄志松 , 穆坤德·斯里尼瓦桑 , 埃里克·赫德森 , 亚伦·埃普勒
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 余刚; 吴孟秋
- 优先权： 61/066,147 2007.05.03 US; 61/044,012 2008.04.10 US
- 国际申请： PCT/US2008/062411 2008.05.02
- 国际公布： WO2008/137670 EN 2008.11.13
- 进入国家日期： 2009-11-03
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/302
摘要：
一种开口形成在基片上方的蚀刻层上的碳基硬掩模层的方法。该硬掩模层设在图案化的掩模下方。该基片设在等离子处理室中。该硬掩模层通过将包含COS组分硬掩模开口气体通入该等离子室、由该硬掩模开口气体形成等离子和停止该硬掩模开口气体的通入而开口。该硬掩模层可由无定形碳组成，或由旋涂碳组成，该硬掩模开口气体可进一步包括O 2 。
摘要（英）：
A method for opening a carbon-based hardmask layer formed on an etch layer over a substrate is provided. The hardmask layer is disposed below a patterned mask. The substrate is placed in a plasma processing chamber. The hardmask layer is opened by flowing a hardmask opening gas including a COS component into the plasma chamber, forming a plasma from the hardmask opening gas, and stopping the flowof the hardmask opening gas. The hardmask layer may be made of amorphous carbon, or made of spun-on carbon, and the hardmask opening gas may further include O2.
公开/授权文献:
- CN101675505B 硬掩模开口以及利用硬掩模开口的蚀刻形貌控制 公开/授权日：2012-11-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |