基本信息:
- 专利标题： 半导体元件及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method thereof
- 申请号：CN200910151005.3 申请日：2009-07-03
- 公开(公告)号：CN101673740B 公开(公告)日：2011-08-17
- 发明人： 庄学理 , 郑光茗 , 叶炅翰 , 梁孟松 , 李后儒 , 吴明园 , 李宗吉
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理人： 姜燕; 陈晨
- 优先权： 61/078,117 2008.07.03 US; 12/471,091 2009.05.22 US
- 主分类号： H01L27/06
- IPC分类号： H01L27/06 ; H01L21/8248 ; H01L21/28 ; H01L21/71
The invention provides a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The semiconductor device includes a semiconductor substrate having a first region and a second region, transistors having metal gates is formed in the first region, an isolation structure is formed in the second region, at least one junction device is formed proximate the isolation structure in the second region, and a stopping structure is formed on the isolation structure in the second region. The invention can effectively reduce complexity and defect of a front segment technology. In addition, the invention can improve the mobility of a P channel field effect transistor by 27%. The invention contains a grinding block structure to avoid or reduce risk of excessive grinding of a chemical mechanical grindingtechnology, and avoid or reduce damage of a plane active region.
公开/授权文献:
- CN101673740A 半导体元件及其制造方法 公开/授权日：2010-03-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |