基本信息:
- 专利标题： 积层陶瓷电容器
- 专利标题（英）：Monolithic ceramic capacitor
- 申请号：CN200910161117.7 申请日：2009-08-04
- 公开(公告)号：CN101645352A 公开(公告)日：2010-02-10
- 发明人： 矢尾刚之
- 申请人： 株式会社村田制作所
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 张宝荣
- 优先权： 2008-202564 2008.08.06 JP
- 主分类号： H01G4/30
- IPC分类号： H01G4/30 ; H01G4/12 ; C04B35/46
摘要：
在积层陶瓷电容器中，即使介电陶瓷层的厚度薄至低于1μm，仍可以维持高绝缘性和寿命特性。设介电陶瓷层(2)的厚度为t，设构成介电陶瓷层(2)的介电陶瓷的晶粒的平均粒径为r时，由N＝t/r-1定义的平均晶界个数N为0＜N≤2，并且，使介电陶瓷的组成为：以ABO 3 (A是Ba，或者是Ba以及选自Sr和Ca中的至少一种。B是Ti，或者是Ti以及选自Zr和Hf中的至少一种)所代表的钙钛矿型化合物作为主要成分，并且以Mn和V作为副成分，相对于所述主成分100摩尔份，分别含有Mn为0.05～0.75摩尔份，V为0.05～0.75摩尔份，Mn和V的合计为0.10～0.80摩尔份。
摘要（英）：
A monolithic ceramic capacitor includes dielectric ceramic layers having a thickness of less than 1 mum. When this thickness is t and the crystal grains of a dielectric ceramic of the layers have a mean diameter of r, a mean number N of grain boundaries satisfies 0
公开/授权文献:
- CN101645352B 积层陶瓷电容器 公开/授权日：2012-06-27
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01G | 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件 |
| ------H01G4/00 | 固定电容器；及其制造方法 |
| --------H01G4/30 | .叠层电容器 |