基本信息:
- 专利标题： 碳化硅半导体装置
- 专利标题（英）：Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device
- 申请号：CN200910163147.1 申请日：2008-03-14
- 公开(公告)号：CN101635313A 公开(公告)日：2010-01-27
- 发明人： 谷本智
- 申请人： 日产自动车株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 日产自动车株式会社
- 当前专利权人： 日产自动车株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇; 陈立航
- 优先权： 2007-068572 2007.03.16 JP
- 分案原申请号： 200810084721X
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L21/336
A MOS type SiC semiconductor device having high reliability and a longer lifespan against TDDB of a gate oxide film is disclosed. The semiconductor device includes a MOS (metal-oxide-semiconductor) structure having a silicon carbide (SiC) substrate, a polycrystalline Si gate electrode, a gate oxide film interposed between the SiC substrate and the polycrystalline Si gate electrode and formed by thermally oxidizing a surface of the SiC substrate, and an ohmic contact electrically contacted with the SiC substrate. The semiconductor device further includes a polycrystalline Si thermally-oxidized film formed by oxidizing a surface of the polycrystalline Si gate electrode. The gate oxide film has a thickness of 20 nm or less, advantageously 15 nm or less.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |