基本信息:
- 专利标题： 大尺寸晶片切割方法及其设备
- 专利标题（英）：Large-sized wafer cutting method and device
- 申请号：CN200810133409.5 申请日：2008-07-09
- 公开(公告)号：CN101625994A 公开(公告)日：2010-01-13
- 发明人： 方立志 , 刘俊贤
- 申请人： 力成科技股份有限公司
- 申请人地址： 台湾省新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
- 专利权人： 力成科技股份有限公司
- 当前专利权人： 力成科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 任永武
- 主分类号： H01L21/78
- IPC分类号： H01L21/78
摘要：
本发明有关一种大尺寸晶片切割方法及其设备，是通过减少晶片移动次数以避免移动过程中的晶片损坏。晶片加载一工作载台即可进行各项程序，并通过将工作载台移动至工艺装置处或将工艺装置移动至工作载台来完成各项程序。
摘要（英）：
The invention discloses a large-sized wafer cutting method and a large-sized wafer cutting device, which avoid damage to a wafer in a moving process by means of decreasing the wafer moving frequency. Each program can be carried out when a work loading platform is loaded to the wafer and can be finished by moving the work loading platform to a process unit or moving the process unit to the work loading platform.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |