基本信息:
- 专利标题： 使半导体晶片变薄的方法
- 专利标题（英）：Method of thinning a semiconductor wafer
- 申请号：CN200910151326.3 申请日：2009-06-30
- 公开(公告)号：CN101625972A 公开(公告)日：2010-01-13
- 发明人： M·J·瑟登 , F·J·卡尔尼
- 申请人： 半导体元件工业有限责任公司
- 申请人地址： 美国亚利桑那
- 专利权人： 半导体元件工业有限责任公司
- 当前专利权人： 半导体元件工业有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国亚利桑那
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 秦晨
- 优先权： 12/172,075 2008.07.11 US
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/50
A method for manufacturing a thin semiconductor wafer. A semiconductor wafer is thinned from its backside followed by the formation of a cavity in a central region of the backside of the semiconductor wafer. Forming the cavity also forms a ring support structure in a peripheral region of the semiconductor wafer. An electrically conductive layer is formed in at least the cavity. The front side of the semiconductor wafer is mated with a tape that is attached to a film frame. The ring support structure of the semiconductor wafer is thinned to form the thinned semiconductor wafer. A backside tape is coupled to semiconductor wafer and to the film frame and the tape coupled to the front side of the semiconductor wafer is removed. The thinned semiconductor wafer is singulated.
公开/授权文献:
- CN101625972B 使半导体晶片变薄的方法 公开/授权日：2014-07-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |