基本信息:
- 专利标题： 薄膜晶体管
- 专利标题（英）：Thin film transistor
- 申请号：CN200810067172.5 申请日：2008-05-14
- 公开(公告)号：CN101582449A 公开(公告)日：2009-11-18
- 发明人： 姜开利 , 李群庆 , 范守善
- 申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 专利权人： 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人： 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/06
The invention relates to a thin film transistor which comprises a source electrode, a drain electrode, a semiconductor layer and a gate. The drain electrode and the source electrode are arranged at intervals; the semiconductor layer is electrically connected with the source electrode and the drain electrode; and the gate, the semiconductor layer, the source cathode and the drain electrode are arranged in an insulation way through an insulation layer, wherein the semiconductor layer comprises at least two carbon nano-tube films which are overlapped along the same direction, each carbon nano-tube film comprises a plurality of carbon nano-tubes which are connected end to end and are arranged along the same direction, and at least a part of the carbon nano-tubes are arranged along the direction from the source electrode to the drain electrode.
公开/授权文献:
- CN101582449B 薄膜晶体管 公开/授权日：2011-12-14
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |