基本信息:
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for manufacturing same
- 申请号：CN200780041277.7 申请日：2007-10-09
- 公开(公告)号：CN101536181A 公开(公告)日：2009-09-16
- 发明人： 菊池克 , 山道新太郎 , 村井秀哉 , 前田胜美 , 船矢琢央 , 森健太郎 , 前田武彦 , 川野连也 , 萱岛祐治
- 申请人： 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 日本电气株式会社,恩益禧电子股份有限公司
- 当前专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 孙志湧; 穆德骏
- 优先权： 300681/2006 2006.11.06 JP
- 国际申请： PCT/JP2007/069672 2007.10.09
- 国际公布： WO2008/056499 JA 2008.05.15
- 进入国家日期： 2009-05-06
- 主分类号： H01L23/12
- IPC分类号： H01L23/12
摘要：
一种半导体装置，包括：金属框架，其包括贯通的开口；半导体芯片，其设置在开口中；绝缘层，其设置在金属框架的上表面上，以覆盖上表面，所述上表面是半导体芯片的电路形成表面；布线层，其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧，并且电连接到半导体芯片的电路；通孔导体，其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接；以及树脂层，其设置在金属框架的下表面上。
摘要（英）：
A semiconductor device is provided with a metal frame having a penetrating opening; a semiconductor chip arranged in the opening; an insulating layer arranged on a metal frame upper surface to cover the upper surface, which is the circuit forming surface of the semiconductor chip; a wiring layer, which is arranged only on the upper surface side of the metal frame through an insulating material and is electrically connected to a circuit of the semiconductor chip; a via conductor for electrically connecting the circuit and the wiring layer of the semiconductor chip; and a resin layer arranged on a lower surface of the metal frame.
公开/授权文献:
- CN101536181B 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2012-06-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/12 | .安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底 |