基本信息:
- 专利标题： 整合的化学机械抛光组合物及单台板处理方法
- 专利标题（英）：Integrated chemical mechanical polishing composition and process for single platen processing
- 申请号：CN200680028191.6 申请日：2006-06-06
- 公开(公告)号：CN101511607A 公开(公告)日：2009-08-19
- 发明人： 迈克尔·达西罗 , 彼得·弗热施卡 , 詹姆士·韦尔奇 , 杰弗里·贾尔斯 , 米谢勒·斯塔瓦咨 , 卡尔·博格斯
- 申请人： 高级技术材料公司
- 申请人地址： 美国康涅狄格州
- 专利权人： 高级技术材料公司
- 当前专利权人： 高级技术材料公司
- 当前专利权人地址： 美国康涅狄格州
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王海川; 樊卫民
- 优先权： 60/687,721 2005.06.06 US
- 国际申请： PCT/US2006/022037 2006.06.06
- 国际公布： WO2006/133249 EN 2006.12.14
- 进入国家日期： 2008-01-31
- 主分类号： B44C1/22
- IPC分类号： B44C1/22 ; C23F1/00 ; C23F1/10 ; H01L21/302
摘要：
本发明公开了用于去除微电子器件基板上的铜和阻挡层材料的化学机械抛光(CMP)组合物和单CMP台板方法。该方法包括在单CMP台板垫上步骤I浆料制剂向步骤II浆料制剂的原位转化，所述步骤I浆料制剂用于选择性地去除铜并使之平坦化，所述步骤II浆料制剂用于选择性地去除阻挡层材料。
摘要（英）：
Chemical mechanical polishing (CMP) compositions and single CMP platen process for the removal of copper and barrier layer material from a microelectronic device substrate having same thereon. The process includes the in situ transformation of a Step I slurry formulation, which is used to selectively remove and planarize copper, into a Step II slurry formulation, which is used to selectively remove barrier layer material, on a single CMP platen pad.