基本信息:
- 专利标题： 无掩模多层多晶硅电阻器
- 专利标题（英）：Maskless multiple sheet polysilicon resistor
- 申请号：CN200680021901.2 申请日：2006-04-18
- 公开(公告)号：CN101496137A 公开(公告)日：2009-07-29
- 发明人： G·E·霍华德 , L·斯万森
- 申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 当前专利权人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理人： 赵蓉民
- 优先权： 11/109,231 2005.04.19 US
- 国际申请： PCT/US2006/014379 2006.04.18
- 国际公布： WO2006/113609 EN 2006.10.26
- 进入国家日期： 2007-12-18
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
The invention enables the fabrication of semiconductor devices having polysilicon resistors of different sheet resistance value, without the need to add extra semiconductor fabrication processing steps. An oxide layer is formed over a semiconductor device (104). A polysilicon layer is formed on the oxide layer (106). The polysilicon layer is patterned to form a polysilicon resistor (108). A polysilicon resistor mask having a selected percentage of the polysilicon resistor exposed is formed on the polysilicon resistor (110). A selected dopant is implanted (112), which modifies the resistivity of the polysilicon resistor. The mask is removed (114) and a thermal activation process is performed (116) that diffuses the implanted dopant to a substantially uniform concentration throughout the polysilicon resistor.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |