基本信息:
- 专利标题： Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件
- 专利标题（英）：Group iii nitride semiconductor crystal substrate and semiconductor device
- 申请号：CN200810177769.5 申请日：2008-11-20
- 公开(公告)号：CN101442030A 公开(公告)日：2009-05-27
- 发明人： 冈久拓司 , 川濑智博 , 上村智喜 , 西冈志行 , 荒川聪
- 申请人： 住友电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府大阪市
- 专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府大阪市
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王海川; 穆德骏
- 优先权： 2007-300460 2007.11.20 JP
- 主分类号： H01L23/00
- IPC分类号： H01L23/00 ; C30B29/40
摘要：
本发明提供了一种Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10－4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该Ⅲ族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少－30％且不大于30％。该Ⅲ族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少－16％且不大于16％。
摘要（英）：
A group III nitride semiconductor crystal substrate (20a) has a diameter of at least 25 mm and not more than 160 mm. The resistivity of the group III nitride semiconductor crystal substrate (20a) is at least 1*10<-4> Omega`cm and not more than 0.1 Omega`cm. The resistivity distribution in the diameter direction of the group III nitride semiconductor crystal (20a) is at least -30% and not more than 30%. The resistivity distribution in the thickness direction of the group III nitride semiconductor crystal (20a) is at least -16% and not more than 16%.
公开/授权文献:
- CN101442030B Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件 公开/授权日：2012-08-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |