基本信息:
- 专利标题： 半导体激光装置和激光投影装置
- 专利标题（英）：Semiconductor laser device and laser projector
- 申请号：CN200810184661.9 申请日：2004-12-21
- 公开(公告)号：CN101431215A 公开(公告)日：2009-05-13
- 发明人： 水内公典 , 山本和久 , 笠澄研一 , 木户口勋
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 吕林红
- 优先权： 2003-425600 2003.12.22 JP
- 分案原申请号： 2004800352753
- 主分类号： H01S5/06
- IPC分类号： H01S5/06 ; H01S5/0625 ; H01S5/10 ; H01S5/22
摘要：
提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。
摘要（英）：
According to the present invention, in a semiconductor laser device ( 10 ) having different facet reflectivities, an electrode disposed on a stripe ridge ( 107 a) is divided into four electrode parts ( 1 ), ( 2 ), ( 3 ), and ( 4 ), and a larger injection current is injected to an electrode part that is closer to a light emission facet side. According to this semiconductor laser device, a carrier density distribution in an active layer that is opposed to the stripe ridge can be matched to a light intensity distribution in the active layer, thereby preventing degradation in high output characteristic due to destabilization of transverse mode and reduction in gain which are caused by spatial hole burning.