基本信息:
- 专利标题： 监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置
- 专利标题（英）：Method and apparatus for monitoring plasma conditions in an etching plasma processing facility
- 申请号：CN200680016778.5 申请日：2006-03-15
- 公开(公告)号：CN101427352A 公开(公告)日：2009-05-06
- 发明人： 陈英欣 , 杰弗里·W·纽纳 , 小弗朗克·迪梅奥 , 陈世辉 , 詹姆斯·韦尔奇 , 杰弗里·F·罗德
- 申请人： 高级技术材料公司
- 申请人地址： 美国康涅狄格州
- 专利权人： 高级技术材料公司
- 当前专利权人： 高级技术材料公司
- 当前专利权人地址： 美国康涅狄格州
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 章社杲; 李丙林
- 优先权： 11/081,439 2005.03.16 US
- 国际申请： PCT/US2006/009330 2006.03.15
- 国际公布： WO2006/101897 EN 2006.09.28
- 进入国家日期： 2007-11-15
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302
摘要：
一种气体传感器和气体感测的方法，例如使用下游传感器元件来测定使用含卤素的等离子体和/或者含氧的等离子体的半导体蚀刻设备中的等离子体状态(如等离子体蚀刻终点)。这样的传感器元件能指示在由等离子体产生的高能气体物质如氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物或者自由基存在的温度变化，并且相应地产生一个指示这样的温度变化的输出信号用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体的状态。
摘要（英）：
The present invention relates to a method and system of using downstream sensor elements for determining the plasma conditions (e.g., plasma etching end point) in a semiconductor etching facility that utilizes halogen-containing plasma and/or oxygen-containing plasma. Such sensor elements are capable of exhibiting temperature change in the presence of energetic gas species, e.g., fluorine, chlorine, iodine, bromine, oxygen, and derivatives and radicals thereof that are generated by the plasma, and correspondingly generating an output signal indicative of such temperature change for determination of the plasma conditions in the etching plasma processing facility.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |