基本信息:
- 专利标题： 无铝垫的后端集成电路的晶圆级封装结构
- 专利标题（英）：Back end integrated wlcsp structure without aluminum pads
- 申请号：CN200810089215.X 申请日：2008-04-08
- 公开(公告)号：CN101425493A 公开(公告)日：2009-05-06
- 发明人： 游秀美 , 郭祖宽 , 杨斐杰 , 陈世明 , 郑嘉仁
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
- 代理机构： 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 寿宁; 张华辉
- 优先权： 11/933,572 2007.11.01 US
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485 ; H01L23/522
摘要：
本发明是有关于一种集成电路结构，包括有钝化层；穿孔设于钝化层中；含铜通道形成于穿孔中；高分子层形成于钝化层上，其中高分子层包括有一开口，并暴露出含铜通道；后端钝化连接(PPI)线形成于高分子层中，其中后端钝化连接线延伸至此开口中，并物理性地接触于含铜通道；以及底凸块金属层形成于后端钝化连接线上，并电性连接于后端钝化连接线。本发明提出的集成电路结构，可减少电阻电容延迟(RC－Delay)效应和减少制程成本。
摘要（英）：
An integrated circuit structure includes a passivation layer; a via opening in the passivation layer; a copper-containing via in the via opening; a polymer layer over the passivation layer, wherein the polymer layer comprises an aperture, and wherein the copper-containing via is exposed through the aperture; a post-passivation interconnect (PPI) line over the polymer layer, wherein the PPI line extends into the aperture and physically contacts the copper-via opening; and an under-bump metallurgy (UBM) over and electrically connected to the PPI line. The inventive integrated circuit structure can recduce resistance capacitance-delay effect and process cost.
公开/授权文献:
- CN101425493B 无铝垫的后端集成电路的晶圆级封装结构 公开/授权日：2010-11-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/485 | ...包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头 |