基本信息:
- 专利标题： 氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
- 专利标题（英）：Silicon oxide film, production method therefor and semiconductor device having gate insulation film using the same
- 申请号：CN200810109584.0 申请日：2008-06-02
- 公开(公告)号：CN101315947B 公开(公告)日：2011-06-22
- 发明人： 森茂 , 田边浩 , 田中淳
- 申请人： NEC液晶技术株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： NEC液晶技术株式会社
- 当前专利权人： NLT科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 陈平
- 优先权： 2007-147405 2007.06.01 JP
- 主分类号： H01L29/51
- IPC分类号： H01L29/51 ; H01L29/786 ; H01L21/316 ; H01L21/285 ; H01L21/336
摘要：
本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO2，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm-1附近出现的SiO2-特征峰的积分强度，在波数2,340cm-1附近出现的CO2-特征峰的积分强度是8E-4倍以上。
摘要（英）：
The present invention provides a high-performance silicon oxide film as a gate insulation film and a semiconductor device having superior electric characteristics. The silicon oxide film according to the present invention includes CO2 in the film, wherein, when an integrated intensity of a peak is expressed by (peak width at half height)*(peak height) in an infrared absorption spectrum, the integrated intensity of a CO2-attributed peak which appears in the vicinity of a wave number of 2,340 cm<-1> is 8E-4 times or more with respect to the integrated intensity of an SiO2-attributed peak which appears in the vicinity of a wave number of 1,060 cm<-1>.
公开/授权文献:
- CN101315947A 氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件 公开/授权日：2008-12-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/49 | ...金属绝缘体半导体电极 |
| --------------H01L29/51 | ....与其相关的绝缘材料 |