
基本信息:
- 专利标题: 用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件
- 专利标题(英):Graphite member for beam-line internal member of ion implantation apparatus
- 申请号:CN200680040106.8 申请日:2006-10-12
- 公开(公告)号:CN101296881B 公开(公告)日:2013-06-26
- 发明人: 齐藤清 , 横山文昭 , 铃木均 , 安藤温子 , 东城哲朗 , 筱原诚治
- 申请人: 东洋炭素株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 东洋炭素株式会社
- 当前专利权人: 东洋炭素株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人: 温宏艳; 孙秀武
- 优先权: 315400/2005 2005.10.28 JP
- 国际申请: PCT/JP2006/320791 2006.10.12
- 国际公布: WO2007/049492 JA 2007.05.03
- 进入国家日期: 2008-04-28
- 主分类号: C04B35/52
- IPC分类号: C04B35/52 ; C01B31/04 ; H01J37/317
摘要:
一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件,该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件,该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地,在石墨部件的自然断裂(natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm-1处的D谱带强度除以1570cm-1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。
公开/授权文献:
- CN101296881A 用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件 公开/授权日:2008-10-29