基本信息:
- 专利标题： 鳍型场效应晶体管及其制造方法
- 专利标题（英）：Fin type FET and manufacturing method thereof
- 申请号：CN200810081315.8 申请日：2008-02-25
- 公开(公告)号：CN101256959A 公开(公告)日：2008-09-03
- 发明人： 程慷果 , 许履尘 , 杰克·A·曼德尔曼 , 约翰·E·希茨二世
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约阿芒克
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约阿芒克
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 张波
- 优先权： 11/680,221 2007.02.28 US
- 主分类号： H01L21/335
- IPC分类号： H01L21/335 ; H01L21/336 ; H01L21/306 ; H01L29/772 ; H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/08
摘要：
本发明提供一种鳍型场效应晶体管及其制造方法。本发明的实施例提供了在鳍型场效应晶体管中宽度相对均匀的鳍及其形成该鳍的方法和装置。鳍结构可以形成为使得鳍结构的侧壁部分的表面垂直于第一晶体学方向。鳍结构的末端处的渐缩区域可以垂直于第二晶向。可以对鳍结构进行晶面依赖刻蚀。晶面依赖刻蚀可以相对快地从垂直于第二晶向的鳍的部分上去除材料，由此得到宽度相对均匀的鳍结构。
摘要（英）：
Embodiments of the invention provide a relatively uniform width fin in a Fin Field Effect Transistors (FinFETs) and apparatus and methods for forming the same. A fin structure may be formed such that the surface of a sidewall portion of the fin structure is normal to a first crystallographic direction. Tapered regions at the end of the fin structure may be normal to a second crystal direction. A crystallographic dependent etch may be performed on the fin structure. The crystallographic dependent etch may remove material from portions of the fin normal to the second crystal direction relatively faster, thereby resulting in a relatively uniform width fin structure.
公开/授权文献:
- CN101256959B 鳍型场效应晶体管及其制造方法 公开/授权日：2011-07-27
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |