基本信息:
- 专利标题： 碳化硅半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same
- 申请号：CN200680032093.X 申请日：2006-08-22
- 公开(公告)号：CN101253633A 公开(公告)日：2008-08-27
- 发明人： 谷本智 , 川本典明 , 鬼头孝之 , 三浦峰生
- 申请人： 日产自动车株式会社 , 罗姆股份有限公司
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 日产自动车株式会社,罗姆股份有限公司
- 当前专利权人： 日产自动车株式会社,罗姆股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇; 陈立航
- 优先权： 247175/2005 2005.08.29 JP
- 国际申请： PCT/JP2006/316795 2006.08.22
- 国际公布： WO2007/026622 EN 2007.03.08
- 进入国家日期： 2008-02-29
- 主分类号： H01L29/51
- IPC分类号： H01L29/51 ; H01L21/28 ; H01L29/78 ; H01L29/739
A silicon carbide semiconductor device (90), includes: 1) a silicon carbide substrate (1); 2) a gate electrode (7) made of polycrystalline silicon; and 3) an ONO insulating film (9) sandwiched between the silicon carbide substrate (1) and the gate electrode (7) to thereby form a gate structure, the ONO insulating film (9) including the followings formed sequentially from the silicon carbide substrate (1): a) a first oxide silicon film (O) (10), b) an SiN film (N) (11), and c) an SiN thermally-oxidized film (O) (12, 12a, 12b). Nitrogen is included in at least one of the following places: i) in the first oxide silicon film (O) (10) and in a vicinity of the silicon carbide substrate (1), and ii) in an interface between the silicon carbide substrate (1) and the first oxide silicon film (O) (10).
公开/授权文献:
- CN101253633B 用于制造碳化硅半导体器件的方法 公开/授权日：2010-06-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/49 | ...金属绝缘体半导体电极 |
| --------------H01L29/51 | ....与其相关的绝缘材料 |