
基本信息:
- 专利标题: 电屏蔽的穿通晶片互连
- 专利标题(英):Electrically shielded through-wafer interconnect
- 申请号:CN200680031273.6 申请日:2006-08-15
- 公开(公告)号:CN101253624A 公开(公告)日:2008-08-27
- 发明人: R·斯特德曼 , G·福格特米尔 , R·多沙伊德
- 申请人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 申请人地址: 荷兰艾恩德霍芬
- 专利权人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 当前专利权人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰艾恩德霍芬
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理人: 王英
- 优先权: 05107848.3 2005.08.26 EP
- 国际申请: PCT/IB2006/052809 2006.08.15
- 国际公布: WO2007/023416 EN 2007.03.01
- 进入国家日期: 2008-02-26
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L23/60
摘要:
一种穿通晶片互连,其允许为检测器芯片使用有成本效率的衬底。根据本发明的示范性实施例,可以提供应用在检验设备中的检测元件,包括具有灵敏区的晶片和同轴的穿通晶片互连结构。这样可以通过提供有效屏蔽来降低互连的敏感度。
摘要(英):
Through-Wafer Interconnections allow for the usage of cost-effective substrates for detector chips . According to an exemplary embodiment of the present invention, detecting element for application in an examination apparatus may be provided, comprising a wafer with a sensitive region and a coaxial through-wafer interconnect structure. This may reduce the susceptibility of the interconnection by providing an effective shielding.
公开/授权文献:
- CN100559574C 电屏蔽穿通晶片互连和其制造方法及检测元件和检测设备 公开/授权日:2009-11-11
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
--------H01L23/48 | .用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线、接线端装置 |