基本信息:
- 专利标题： 半导体元件和电气设备
- 专利标题（英）：Semiconductor element and electric device
- 申请号：CN200680027400.5 申请日：2006-07-21
- 公开(公告)号：CN101233616A 公开(公告)日：2008-07-30
- 发明人： 北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 山下贤哉
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳
- 优先权： 215752/2005 2005.07.26 JP
- 国际申请： PCT/JP2006/314516 2006.07.21
- 国际公布： WO2007/013377 JA 2007.02.01
- 进入国家日期： 2008-01-25
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; H01L27/06 ; H01L21/3205 ; H01L29/12 ; H01L21/822 ; H01L29/47 ; H01L21/8234 ; H01L29/78 ; H01L23/52 ; H01L29/872
摘要：
本发明提供一种半导体元件和电气设备，该半导体元件(20)具有场效应晶体管(90)、肖特基电极(9a)和多个接合垫(12S、12G)，上述多个接合垫(12S、12G)中至少一个以位于上述肖特基电极(9a)的上方的方式配置。
公开/授权文献:
- CN101233616B 半导体元件和电气设备 公开/授权日：2010-04-14