基本信息:
- 专利标题： 高纯度铪及其制造方法、由高纯度铪构成的靶及薄膜
- 专利标题（英）：High-purity hafnium, process for producing the same, target and thin film comprising the high-purity hafnium
- 申请号：CN200680024726.2 申请日：2006-06-12
- 公开(公告)号：CN101218360A 公开(公告)日：2008-07-09
- 发明人： 新藤裕一朗
- 申请人： 日矿金属株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日矿金属株式会社
- 当前专利权人： 捷客斯金属株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 樊卫民; 郭国清
- 优先权： 198901/2005 2005.07.07 JP
- 国际申请： PCT/JP2006/311722 2006.06.12
- 国际公布： WO2007/007498 JA 2007.01.18
- 进入国家日期： 2008-01-07
- 主分类号： C22B34/14
- IPC分类号： C22B34/14 ; B22D27/02 ; C22B9/22 ; C22C28/00 ; C23C14/34
摘要：
本发明涉及使用减少了锆的海绵铪作为原料，制造进一步分别减少了铪中含有的Fe、Cr、Ni杂质，Ca、Na、K杂质，Al、Co、Cu、Ti、W、Zn杂质，α射线的计数，U、Th杂质，Pb、Bi杂质，气体成分的含C量的高纯度铪的方法，提供有效且稳定的制造技术及通过该技术得到的高纯度铪材料、由该材料构成的溅射用靶及栅绝缘膜或金属栅用薄膜。一种高纯度铪，其特征在于，除Zr和气体成分外纯度在6N以上，Fe、Cr、Ni分别在0.2ppm以下，Ca、Na、K分别在0.1ppm以下，Al、Co、Cu、Ti、W、Zn分别在0.1ppm以下。
公开/授权文献:
- CN101218360B 高纯度铪及其制造方法、由高纯度铪构成的靶及薄膜 公开/授权日：2010-06-16