基本信息:
- 专利标题： 编程可编程电阻性存储单元的方法、装置及程序产品
- 专利标题（英）：Method, apparatus and computer program product for read before programming process on programmable resistive memory cell
- 申请号：CN200710199608.1 申请日：2007-12-11
- 公开(公告)号：CN101202110A 公开(公告)日：2008-06-18
- 发明人： 龙翔澜
- 申请人： 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 韩宏
- 优先权： 11/610,293 2006.12.13 US
- 主分类号： G11C16/10
- IPC分类号： G11C16/10
摘要：
本发明公开用于编程许多可编程电阻性存储单元的方法、系统以及计算机程序产品。该方法包含对每一存储单元执行下述步骤：读取存储单元的电阻值以及读取对应该存储单元的输入数据。该方法更进一步包含对每一存储单元执行下述步骤：假如该电阻值是在较高的电阻状态，且该输入数据对应至第一(设定)状态，编程该存储单元至低电阻(设定)状态，以及假如该电阻值是在较低的电阻状态，且该输入数据对应至第二(重置)状态，编程该存储单元至较高的电阻(重置)状态。
公开/授权文献:
- CN101202110B 编程可编程电阻性存储单元的方法、装置及程序产品 公开/授权日：2010-10-13
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/10 | ...编程或数据输入电路 |