基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacture method thereof
- 申请号：CN200710194088.5 申请日：2007-11-30
- 公开(公告)号：CN101192520A 公开(公告)日：2008-06-04
- 发明人： 藤原伸介 , 樱田隆 , 木山诚 , 善积祐介
- 申请人： 住友电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府大阪市
- 专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府大阪市
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 孙志湧; 陆锦华
- 优先权： 2006-324246 2006.11.30 JP
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; C30B25/02
摘要：
提供一种半导体器件制造方法，从而以高成品率制造具有优异特性的半导体器件。该半导体器件制造方法包括：制备GaN衬底(10)的步骤，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm－2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长至少单层半导体层(20)以形成半导体器件(40)的步骤，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。
公开/授权文献:
- CN101192520B 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2011-03-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |