基本信息:
- 专利标题： 互连结构及其形成方法
- 专利标题（英）：Interconnection structure and its forming method
- 申请号：CN200710186781.8 申请日：2007-11-16
- 公开(公告)号：CN101188223B 公开(公告)日：2010-12-15
- 发明人： 威廉·R·汤蒂 , 杰克·A·曼德尔曼 , 杨启超 , 许履尘
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约阿芒克
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯美国第二有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约阿芒克
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 张波
- 优先权： 11/562,550 2006.11.22 US
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L21/768
Interconnect structures including liner layers that are non-planar with at least the adjacent insulating layer and at least one capping layer on conductive features embedded in the insulating layer. The interconnect structure includes an insulating layer of a dielectric material having a top surface and a bottom surface between the top surface and a substrate. An opening, such as a trench, has sidewalls extending from the top surface of the insulating layer toward the bottom surface and is at least partially filled by a conductive feature. A capping layer is disposed on at least a top surfaceof the conductive feature. A conductive liner layer is disposed between the insulating layer and the conductive feature along at least the sidewalls of the opening. The conductive liner layer has sidewall portions projecting above the top surface of the insulating layer adjacent to the sidewalls of the opening.
公开/授权文献:
- CN101188223A 互连结构及其形成方法 公开/授权日：2008-05-28
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |