基本信息:
- 专利标题： 硫属化物材料的化学气相沉积
- 专利标题（英）：Chemical vapor deposition of chalcogenide materials
- 申请号：CN200680009843.1 申请日：2006-01-05
- 公开(公告)号：CN101180135A 公开(公告)日：2008-05-14
- 发明人： S·R·奥夫辛斯基 , S·卡梅帕利
- 申请人： 能源变换设备有限公司
- 申请人地址： 美国密歇根州
- 专利权人： 能源变换设备有限公司
- 当前专利权人： 奥翁尼克斯公司
- 当前专利权人地址： 美国密歇根州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 刘冬; 韦欣华
- 优先权： 11/046,114 2005.01.28 US
- 国际申请： PCT/US2006/000382 2006.01.05
- 国际公布： WO2006/083481 EN 2006.08.10
- 进入国家日期： 2007-09-26
- 主分类号： B05D1/36
- IPC分类号： B05D1/36 ; C23C16/00 ; B29C71/04
摘要：
本发明提供用于制备电和光硫属化物材料的化学气相沉积(CVD)方法。在优选实施方式中，该CVD沉积的材料表现出一种或多种以下性质：电转换、累积、设置、可逆多状态特性、复位、认知功能和可逆非晶形－晶态转变。在一个实施方式中，通过CVD沉积多层结构，该多层结构至少包括含有硫属元素的一个层，且在沉积后对该多层结构施加能量，以产生具有本发明所述性质的硫属化物材料。在另一个实施方式中，具有本发明所述性质的单层硫属化物材料通过包括三种或更多沉积前体的CVD沉积方法形成，至少一种沉积前体是硫属元素前体。优选的材料是那些包含硫属元素Te以及Ge和/或Sb的材料。
公开/授权文献:
- CN101180135B 硫属化物材料的化学气相沉积 公开/授权日：2011-08-24
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B05 | 一般喷射或雾化；对表面涂覆液体或其他流体的一般方法 |
| ----B05D | 一般对表面涂布液体或其他流体的工艺 |
| ------B05D1/00 | 涂布液体或其他流体的工艺 |
| --------B05D1/36 | .依次涂布液体或其他流体，如不经过中间处理 |