基本信息:
- 专利标题： 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置
- 专利标题（英）：Semiconductor luminous element, manufacturing method thereof, and luminous device using the same
- 申请号：CN200710166949.9 申请日：2003-08-01
- 公开(公告)号：CN101165930A 公开(公告)日：2008-04-23
- 发明人： 楠濑健 , 坂本贵彦
- 申请人： 日亚化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本德岛县阿南市
- 专利权人： 日亚化学工业株式会社
- 当前专利权人： 日亚化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本德岛县阿南市
- 代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理人： 郭晓东
- 优先权： 2002-225043 2002.08.01 JP; 2002-256884 2002.09.02 JP
- 分案原申请号： 038185342
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。
摘要（英）：
A nitride semiconductor light-emitting device includes a layered portion emitting light on a substrate. The layered portion includes an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. The periphery of the layered portion is inclined, and the surface of the n-type semiconductor layer is exposed at the periphery. An n electrode is disposed on the exposed surface of the n-type semiconductor layer. This device structure can enhance the emission efficiency and the light extraction efficiency.
公开/授权文献:
- CN100552997C 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置 公开/授权日：2009-10-21