
基本信息:
- 专利标题: 载台装置及曝光装置
- 专利标题(英):Stage apparatus and exposure apparatus
- 申请号:CN200680007894.0 申请日:2006-08-03
- 公开(公告)号:CN101138070A 公开(公告)日:2008-03-05
- 发明人: 柴崎祐一
- 申请人: 株式会社尼康
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社尼康
- 当前专利权人: 株式会社尼康
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人: 雒运朴; 李伟
- 优先权: 227666/2005 2005.08.05 JP
- 国际申请: PCT/JP2006/315422 2006.08.03
- 国际公布: WO2007/018127 JA 2007.02.15
- 进入国家日期: 2007-09-11
- 主分类号: H01L21/027
- IPC分类号: H01L21/027 ; G03F7/20 ; H01L21/68
摘要:
本发明提供载台装置及曝光装置。晶片载台(WST)及计测载台(MST)被构成为可沿着底盘(21)上表面移动,通过相互靠近而成为一体并沿Y方向移动,来进行水(Lq)的转移。对准系统(45)测定晶片载台(WST)与计测载台(MST)的相互靠近的边缘部,聚焦/调平检测系统(64)测定晶片载台(WST)及计测载台(MST)相互靠近状态下的Z方向的阶梯差。在使两载台靠近的情况下,基于这些测定结果来调整晶片载台(WST)与计测载台(MST)之间的相对位置。
公开/授权文献:
- CN101138070B 载台装置及曝光装置 公开/授权日:2011-03-23
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |