基本信息:
- 专利标题： 半导体存储器件
- 专利标题（英）：Semiconductor memory device
- 申请号：CN200710148161.5 申请日：2007-08-28
- 公开(公告)号：CN101136245B 公开(公告)日：2012-07-04
- 发明人： 藤泽宏树
- 申请人： 尔必达存储器株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 尔必达存储器株式会社
- 当前专利权人： PS4拉斯口有限责任公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 谷惠敏; 钟强
- 优先权： 2006-231211 2006.08.28 JP
- 主分类号： G11C11/4063
- IPC分类号： G11C11/4063 ; G11C11/4076
摘要：
一种半导体存储器件，包括：连接到数据输入/输出端DQ的FIFO块；并行输入和输出经由数据输入/输出端DQ连续地输入和输出的n位数据的时分传输电路；在该时分传输电路和FIFO块之间执行数据传输的数据总线RWBS；以及设置突发长度的模式寄存器。当对该模式寄存器可设置的最小突发长度是m(＜n)时，该时分传输电路使用数据总线，与突发长度无关地以m位为单位执行数据传输。由此，可以在不执行突发突变的条件下，将突发长度设置得小于预取数目。
摘要（英）：
A semiconductor memory device includes an FIFO block connected to a data input/output terminal DQ, a time-division transfer circuit that inputs and outputs in parallel n-bit data inputted and outputted continuously via the data input/output terminal DQ, a data bus RWBS that performs a data transfer between the time-division transfer circuit and the FIFO block, and a mode register that sets a burst length. When a minimum burst length settable to the mode register is m (
公开/授权文献:
- CN101136245A 半导体存储器件 公开/授权日：2008-03-05