基本信息:
- 专利标题： 先进的低介电常数有机硅等离子体化学汽相沉积膜
- 专利标题（英）：Advanced low dielectric constant organosilicon plasma chemical vapor deposition films
- 申请号：CN200680004568.4 申请日：2006-02-14
- 公开(公告)号：CN101124664A 公开(公告)日：2008-02-13
- 发明人： 山·V.·阮 , 莎拉·L.·莱恩 , 李加 , 井田健作 , 达里尔·D.·拉斯坦诺 , 野上武史
- 申请人： 国际商业机器公司 , 索尼株式会社
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司,索尼株式会社
- 当前专利权人： 国际商业机器公司,索尼株式会社
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 付建军
- 优先权： 10/906,370 2005.02.16 US
- 国际申请： PCT/US2006/005204 2006.02.14
- 国际公布： WO2006/088881 EN 2006.08.24
- 进入国家日期： 2007-08-10
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31
摘要：
提供了一种多孔的低k或超低k电介质膜，包括以共价键三维网络结构存在的Si、C、O和H(下面称为“SiCOH”)，具有低于大约3.0的介电常数，并具有比现有技术的SiCOH电介质更高程度的晶体键相互作用、更多作为甲基端基的碳和更少的亚甲基(－CH2－)交联基。该SiCOH电介质的特征在于，其FTIR谱包括小于大约1.40的CH3+CH2伸展的峰面积、小于大约0.20的SiH伸展的峰面积、大于大约2.0的SiCH3键合的峰面积以及大于大约60％的Si－O－Si键合的峰面积，并且该SiCOH电介质的孔隙率大于大约20％。
公开/授权文献:
- CN100533681C 先进的低介电常数有机硅等离子体化学汽相沉积膜 公开/授权日：2009-08-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |